Samsung Electronics dilaporkan telah berhasil memproduksi keping DRAM mandiri pertama di dunia yang menggunakan teknologi proses di bawah 10 nanometer. Capaian inovatif ini menandai terobosan besar bagi industri semikonduktor yang selama ini sangat bergantung pada batasan arsitektur ukuran 10 nanometer ke atas.
Teknologi proses baru yang diberi nama 10a ini diperkirakan mampu menembus skala manufaktur hingga ukuran 9,5 sampai 9,7 nanometer. Saat ini pihak Samsung sedang berupaya mengamankan tingkat hasil produksi dengan menyesuaikan berbagai kondisi teknis berdasarkan keping cip yang sudah berhasil beroperasi tersebut.
Kenapa ini penting?
Inovasi komponen ini sangat krusial di tengah melonjaknya permintaan komputasi berkinerja tinggi, terutama untuk memenuhi kebutuhan beban kerja sistem kecerdasan buatan global. Kapasitas cip memori yang makin padat akan memberikan dorongan performa yang luar biasa bagi peranti teknologi masa depan.
Selain itu, lompatan teknologi ini memberi Samsung keunggulan kompetitif yang masif atas para pesaingnya. Saat perusahaan lain seperti Micron masih menunda pengembangan struktur serupa dan memilih menunggu memori 3D, Samsung mengambil langkah lebih agresif untuk memimpin sekaligus mendominasi pasar cip memori generasi berikutnya.
Apa saja detailnya
- Perubahan Struktur Arsitektur: Terobosan utama cip memori ini terletak pada penggunaan arsitektur 4F Square Cell serta proses Transistor Saluran Vertikal atau VCT. Perubahan bentuk balok persegi panjang 6F menjadi struktur persegi empat 4F ini diklaim mampu meningkatkan kepadatan sel hingga 30 sampai 50 persen di setiap sirkuit terpadu. Hal ini menjanjikan kapasitas penyimpanan memori yang lebih besar sekaligus jauh lebih hemat daya.
- Material Baru yang Unggul: Modul DRAM terbaru ini juga akan memanfaatkan bahan material mutakhir yakni Indium Gallium Zinc Oxide atau disingkat IGZO untuk menggantikan silikon tradisional. Penggunaan material IGZO pada sel sempit terbukti mampu meminimalkan kebocoran arus listrik sehingga retensi data pengguna menjadi jauh lebih aman dan stabil.
- Peta Jalan Produksi: Pengembangan struktur memori 10a ini ditargetkan selesai pada tahun ini dan selanjutnya akan memasuki tahap produksi massal pada tahun 2028. Generasi berikutnya seperti 10b dan 10c akan membawa penyempurnaan tambahan sebelum akhirnya industri bergeser secara penuh ke teknologi 3D DRAM pada kisaran tahun 2029 hingga 2030.
Pax insight
Dengan hadirnya modul cip di bawah 10 nanometer ini, Samsung sekali lagi membuktikan posisinya sebagai ujung tombak inovasi manufaktur semikonduktor global. Langkah berani ini membuka jalan baru untuk menciptakan peranti elektronik yang tidak hanya lebih bertenaga namun juga beroperasi dengan efisiensi konsumsi energi yang maksimal.
Ke depannya, kesuksesan produksi massal cip memori ini akan sangat memengaruhi arah pengembangan perangkat keras kecerdasan buatan di seluruh dunia. Pabrikan yang gagal mengikuti standar arsitektur tingkat lanjut ini, terutama yang terhambat masalah kelangkaan peralatan litografi canggih, akan berisiko tertinggal makin jauh dalam perlombaan teknologi cip internasional.
